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J-GLOBAL ID：202403020425352400

真空排気方法

Inventor： 神谷 潤一郎
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構
Agent (3)： 堀 城之 ,  前島 幸彦 ,  村上 大勇
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2021122848
Publication number (International publication number)：2023021140
Patent number：7446640
Application date： Jul. 28, 2021
Publication date： Feb. 09, 2023
Claim (excerpt)：

【請求項1】 チタン(Ti)を含む内面を具備する容器、電極の少なくともいずれかに電圧を印加して、前記内面に前記電極の表面である電極面を構成する材料である電極材で構成されたコーティング層を形成した上で真空排気を行う真空排気方法において、 不活性ガス雰囲気下で前記電極を正側、前記容器を負側の電位として、前記電極と前記容器との間にDC放電を発生させる第1の工程と、 前記第1の工程の後に不活性ガス雰囲気下で前記電極を負側、前記容器を正側の電位として、前記電極と前記容器との間にDC放電を発生させる第2の工程と、を有し、 前記第2の工程の後に、前記電極を接地状態又は電位が浮遊した状態とし、前記電極を前記容器から取り外した状態で、前記容器の中の真空度を上げつつ、前記容器を加熱する第3の工程を有することを特徴とする真空排気方法。

IPC (2)：

H01J 41/20 ( 200 6.01) ,  H01J 37/16 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01J 41/20 ,  H01J 37/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

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  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-055670   Applicant：キヤノン株式会社