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J-GLOBAL ID：202404003076079019
Research Project code：23830112
三次元集積メモリデバイスに向けたナノシート酸化物半導体
三次元集積メモリデバイスに向けたナノシート酸化物半導体
National award number：JPMJCR23A3
Study period：2023 - 2028
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 大学院工学系研究科, 准教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR23A3
Research overview：
本研究では、ナノシート酸化物半導体の原子層堆積法による成膜技術の確立と、ナノシート酸化物半導体デバイス物理および界面物性の解明、三次元集積メモリデバイスのデバイス実証を目指して、「材料・プロセス」、「デバイス設計・実証」、「物性評価・解析」、「理論計算」まで一貫して、酸化物半導体とナノエレクトロニクスの最前線で活躍する研究者が集結して遂行するものである。
Terms in the title (4)：
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Research program：
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Parent Research Project：
Fundamental technology for semiconductor-device structures using nanomaterials
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
