Si系材料を用いた超広帯域・高速なMEMSテラヘルツ・赤外ボロメータの開発

National award number：JPMJTR23R2
Study period：2023 - 2025
Organization (1)：
Research responsibility： ( , 大学院工学研究院先端電気電子部門, 准教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJTR23R2
Research overview：

我々は、GaAsが持つ圧電効果を利用して、電気的に駆動と振動読み出しができるMEMS共振器構造を用いた高速テラヘルツボロメータを開発してきた。しかし、材料の極性のために、感度が消失する周波数帯があることが大きな問題であった。一方、Si系材料を用いれば感度の消失が避けられるとともに、その大きな熱伝導率により、さらなる高速化が期待できる。また、産業的にもSiは大変望ましい。しかし、Siは圧電効果を持たないという問題がある。本研究では、Si系MEMS共振器の電気的な駆動と検出を可能にするため、圧電材料との融合やSiのピエゾ抵抗効果を利用し、Siで超広帯域・高速なMEMSボロメータの実現を目指す。

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Organization with control over the research：

Japan Science and Technology Agency

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