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J-GLOBAL ID：202404005281144268
Research Project code：23830250
縦型半導体ナノワイヤアレイ量子集積回路基盤技術の創成
縦型半導体ナノワイヤアレイ量子集積回路基盤技術の創成
National award number：JPMJCR23A5
Study period：2023 - 2028
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 大学院情報科学研究院, 准教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR23A5
Research overview：
III-V族化合物半導体ナノ材料の選択成長技術とヘテロ接合形成技術を発展させ、異なるキャリア・機能を1つの素子に統合する新型デバイスの実証に立脚した3次元立体集積プロセス・システム・回路技術を構築し,縦型ナノワイヤアレイ立体量子集積回路の学術基盤を確立することで、従来の集積回路技術では原理的に実現できない、消費電力・発熱を極限まで抑制した新たな省電力エレクトロニクスの基礎を築きます。
Terms in the title (7)：
Terms in the title
Keywords automatically extracted from the title.
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Research program：
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Parent Research Project：
Fundamental technology for semiconductor-device structures using nanomaterials
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
