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J-GLOBAL ID：202404008298685954  Research Project code：23814544

3次元磁性細線メモリ

3次元磁性細線メモリ
National award number：JPMJTR23R4
Study period：2023 - 2025
Organization (1)：
東京工業大学

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Research responsibility：
Pham Nam Hai

About Pham Nam Hai

(
東京工業大学

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, 工学院 電気電子系, 准教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJTR23R4
Research overview：
3次元磁性細線メモリは、隣あう磁区間の磁壁を移動させることにより、磁区(ビット)を空間的に移動させ、一つのリーダーとライター素子で100~1000ビットを読み出しと書き込みができるため、現在普及している3次元NANDフラッシュメモリを凌駕する次世代メモリである。本研究は、3次元磁性細線メモリの3次元堆積手法を確立し、3次元磁性多層膜における垂直磁気異方性を実現するとともに、その磁気異方性磁界を局所的に制御することによって、ビットシフトエラー抑制技術を確立する。さらに、スピン軌道トルク(SOT)方式による超高速かつ超電流駆動の3次元磁性細線の技術を開発する。
Terms in the title (2)：
Terms in the title
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3次元

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, 
磁性細線

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Research program：
Industry-Academia Collaborative R&D

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Co-operations between industry and university (Nurturing)

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Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency

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