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J-GLOBAL ID：202404013064517873
Research Project code：23813778
狭ギャップ二次元材料の大面積プロセスと中赤外光デバイス応用
狭ギャップ二次元材料の大面積プロセスと中赤外光デバイス応用
National award number：JPMJPR23H7
Study period：2024 - 2026
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 電気工学・コンピュータ科学科, 特任主任研究員 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR23H7
Research overview：
中赤外光の活用は、ガスセンシングやナイトビジョンなどに応用が可能であり、防災・セキュリティ、ビルメンテナンス、自動車などの分野で需要が高まっています。本研究では、狭ギャップ二次元半導体の優れた光学特性に着目し、材料・プロセス開発、および中赤外光デバイスの高性能化を目指します。マイクロスケールでの単一デバイス動作にとどまらず、チップスケールからウェハサイズでの大面積化・集積化に挑みます。
Terms in the title (5)：
Terms in the title
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Research program：
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Parent Research Project：
Nano materials for new principle devices
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
