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J-GLOBAL ID：202404019016877858
Research Project code：23829349
超低電圧動作WSe2 CMOS集積回路の基盤創生
超低電圧動作WSe2 CMOS集積回路の基盤創生
National award number：JPMJPR23H1
Study period：2023 - 2026
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 科学技術創成研究院, 助教 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR23H1
Research overview：
本研究では、二セレン化タングステン(WSe2)を用いた超低電圧動作CMOS集積回路の基盤技術を確立します。特にWSe2チャネルを上下のゲートスタックで挟み込んだダブルゲート動作、ノンドープWSe2チャネルによるn/p FETsの実現及び独自の自己整合プロセスによる超低電圧WSe2 CMOSデバイスを実現します。そしてチップレベルの超低電圧動作WSe2 CMOS集積回路への応用展開を目指します。
Terms in the title (3)：
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Research program：
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Parent Research Project：
Nano materials for new principle devices
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
