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J-GLOBAL ID：202504003118960400
Research Project code：24029329
3次元集積CFETに向けた次世代材料素子技術基盤の構築
3次元集積CFETに向けた次世代材料素子技術基盤の構築
National award number：JPMJPR24H2
Study period：2024 - 2027
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 大学院工学研究院, 助教 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR24H2
Research overview：
新チャネル材料CFETの実現に向けた、Geや二次元材料半導体及びその積層構造を用いた3次元集積CMOSを開発し、高品質GeとMoS2 MOS界面形成技術、トランスファー法による積層MoS2チャネル形成技術、3次元的に直接連接できる低抵抗SDコンタクト形成技術など、世界初となるGe pFETとMoS2 nFETを用いる3次元集積CMOSの設計および開発を成功させ、その最適構造やプロセスを明確にする。
Terms in the title (5)：
Terms in the title
Keywords automatically extracted from the title.
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Research program：
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Parent Research Project：
Nano materials for new principle devices
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
