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J-GLOBAL ID：202504006309032952
Research Project code：24029915
二次元強誘電体の自発分極制御とメモリデバイス応用
二次元強誘電体の自発分極制御とメモリデバイス応用
National award number：JPMJPR24H3
Study period：2024 - 2027
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 化学研究所, 准教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR24H3
Research overview：
二次元強誘電体は、結晶格子1-2個程度の厚さ(約1ナノメートル)にまで極薄化しても自発分極を維持できるナノマテリアルです。本研究では、二次元強誘電体メンブレン結晶の材料技術を発展させ、ツイスト積層など、これまでの強誘電材料の研究では活用できなかったアプローチをも駆使して、自発分極制御により優れた特性を持つ二次元強誘電体を実現し、超低消費電力メモリデバイス開発に挑戦します。
Terms in the title (4)：
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Research program：
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Parent Research Project：
Nano materials for new principle devices
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
