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J-GLOBAL ID：202504010043996206
Research Project code：24036277
パワーエレクトロニクス応用におけるSiC半導体素子の革新
パワーエレクトロニクス応用におけるSiC半導体素子の革新
National award number：JPMJAN24E5
Study period：2024 - 2027
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 大学院工学研究科, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJAN24E5
Research overview：
SiCは高耐圧・低損失パワー半導体として有望である。SiCパワーMOSFETの実用化が始まったが、その性能は本来のポテンシャルから大きく乖離している。その要因は酸化膜/SiC界面欠陥に由来する低いチャネル移動度にある。本研究では、1) 計算科学および界面分析を通じた界面欠陥の解明、2) 独自プロセスによる移動度向上、3) フィンチャネルを活用した高移動度化に、日英のグループが取り組み、ゲームチェンジを起こす高性能SiC MOSFETの実現を目指す。
Terms in the title (4)：
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Research program：
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Parent Research Project：
Semiconductor
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
