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J-GLOBAL ID：202504018316786952
Research Project code：24030244
化学気相成長に基づく原子層デバイスの構築
化学気相成長に基づく原子層デバイスの構築
National award number：JPMJPR24H1
Study period：2024 - 2027
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 大学院工学研究科, 助教 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR24H1
Research overview：
次世代の半導体デバイス材料として、グラフェン、六方晶窒化ホウ素、遷移金属ダイカルコゲナイドなどの原子層物質が期待されています。本研究では、原子層物質の化学気相成長において、ヘテロ層成長、成長・エッチング速度制御、核生成制御等の物質合成技術を高度化し、従来の半導体プロセスと融合することで、原子層デバイスの新たな作製方針の確立を目指します。
Terms in the title (3)：
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Research program：
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Parent Research Project：
Nano materials for new principle devices
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
