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J-GLOBAL ID：202504021445794539
Research Project code：24021378
ウエハースケールvdWエピタキシーの確立と2D-CMOS集積化のためのプロセス技術の構築
ウエハースケールvdWエピタキシーの確立と2D-CMOS集積化のためのプロセス技術の構築
National award number：JPMJCR24A3
Study period：2024 - 2029
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 大学院工学系研究科, 教授 )
Research overview：
本申請では,c面サファイア基板上にN型MoS2及び,P型WSe2をvdWエピタキシーにより単結晶成膜し,CMOSインバータ動作を実証することを提案する.到達目標として,結晶性の指針である移動度50 cm2/Vs以上,CMOSインバータ動作の指標であるゲインをVDD = 1 Vにて100以上を目指す.
Terms in the title (6)：
Terms in the title
Keywords automatically extracted from the title.
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Research program：
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Parent Research Project：
Fundamental technology for semiconductor-device structures using nanomaterials
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
