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J-GLOBAL ID：201302252005209025   Reference number：13A1438179

ドライエッチ面を含むAlGaN/GaNヘテロMOS構造の界面評価

Author (5)： YATABE ZENJI (北大 量集セ) ,  HORI YUJIN (北大 量集セ) ,  MA Wancheng (北大 量集セ) ,  HASHIZUME TAMOTSU (北大 量集セ) ,  HASHIZUME TAMOTSU (JST-CREST)
Material： 応用物理学会北海道支部・日本光学会北海道地区合同学術講演会講演予稿集  (応用物理学会北海道支部学術講演会・日本光学会北海道地区講演予稿集)
Volume： 48th-9th  Page： 7  Publication year： Jan. 11, 2013 
JST Material Number： L5918A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *aluminum compound ,  *MOS structure ,  *device structure ,  *surface level ,  state density ,  electronic structure ,  compound semiconductor ,  *heterojunction ,  *alumina ,  capacitance-voltage characteristic ,  complex defect ,  *plasma etching ,  transistor
Semi thesaurus term： *AlGaN/GaN ,  *recessed structure ,  interface state ,  aluminium gallium nitride

JST classification (4)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Terms in the title (7)： エッチ面 ,  AlGaN ,  GaN ,  テロ ,  MOS構造 ,  界面 ,  評価