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J-GLOBAL ID：201502256184268551   Reference number：15A0226874

電気化学エッチングによるGaN多孔質構造の形成

Author (4)： WATANABE AKIO (北大 量集セ) ,  KUMAZAKI YUSUKE (北大 量集セ) ,  YATABE ZENJI (北大 量集セ) ,  SATO TAKETOMO (北大 量集セ)
Material： 応用物理学会北海道支部・日本光学会北海道地区合同学術講演会講演予稿集  (応用物理学会北海道支部学術講演会・日本光学会北海道地区講演予稿集)
Volume： 50th-11th  Page： 58  Publication year： Jan. 09, 2015 
JST Material Number： L5918A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  porous medium ,  *etching ,  electrochemistry ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film
Semi thesaurus term： porous structure ,  electric charge density ,  *electrochemical etching

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (3)： 電気化学エッチング ,  GaN ,  多孔質構造