文献

J-GLOBAL ID：200902002666628645   整理番号：87A0264559

酸素打込みとランプアニールによるシリコン・オン・インシュレータ膜

Silicon-on-insulator films by oxygen implantation and lamp annealing.

著者 (1件)： CELLER G K (AT&T Bell Lab., NJ, USA)
資料名： Solid State Technology  (Solid State Technology)
巻： 30  号： 3  ページ： 93-98  発行年： 1987年03月 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最新の技術のレビュー。10¹⁸cm<s...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： ランプ熱処理

   このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ）  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=87A0264559&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0226A") }}

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸素 ,  打込み ,  ランプ ,  アニール ,  シリコン・オン・インシュレータ