文献

J-GLOBAL ID：200902053657678188   整理番号：82A0050303

NMOS LSI素子のエレクトロサーモマイグレーション

Electro-thermomigration in NMOS LSI devices.

著者 (1件)： DECHIARO L F (Bell Lab., Pennsylvania)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 19th  ページ： 223-229  発行年： 1981年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NMOS LSI素子のほとんどのバーンイン故障は,コンタクト...

シソーラス用語： LSI【IC】 ,...
準シソーラス用語： マイグレーション

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=82A0050303&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0631A") }}

分類 (3件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： NMOS ,  LSI