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J-GLOBAL ID：200902190534619800   整理番号：98A0874656

データ転送速度833Mb/秒,動作電圧2.5Vのダブルデータレート(DDR)型4MビットSRAM

A 833Mb/s 2.5V 4Mb Double Data Rate SRAM.

著者 (9件)： PARK H-C (Samsung Electronics Co. Ltd., Kiheung, KOR) ,  YANG S-K (Samsung Electronics Co. Ltd., Kiheung, KOR) ,  JUNG M-C (Samsung Electronics Co. Ltd., Kiheung, KOR) ,  KANG T-G (Samsung Electronics Co. Ltd., Kiheung, KOR) ,  KIM S-S (Samsung Electronics Co. Ltd., Kiheung, KOR) ,  KIM K-H (Samsung Electronics Co. Ltd., Kiheung, KOR) ,  KIM H-S (Samsung Electronics Co. Ltd., Kiheung, KOR) ,  SHIN Y-S (Samsung Electronics Co. Ltd., Kiheung, KOR) ,  LIM H-K (Samsung Electronics Co. Ltd., Kiheung, KOR)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 41  ページ： 356-357,464  発行年： 1998年02月 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プリチャージ信号と,読み出し書き込みするワード線を選択する信...

シソーラス用語： *SRAM ,...
準シソーラス用語： ダブルデータレート ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (8件)： データ転送速度 ,  秒 ,  動作電圧 ,  ダブルデータレート ,  DDR ,  型 ,  ビット ,  SRAM