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J-GLOBAL ID：200902204886183603   整理番号：07A0739185

45nm以下のCMOSのための高アスペクト比プロセスをもつSTIギャップフィル技術

STI Gap-Fill Technology with High Aspect Ratio Process for 45nm CMOS and beyond

著者 (9件)： TILKE A. T. (Infineon Technol., NY, USA) ,  HAMPP R. (Infineon Technol., NY, USA) ,  STAPELMANN C. (Infineon Technol., NY, USA) ,  CULMESEE M. (Infineon Technol., NY, USA) ,  CONTI R. (IBM Microelectronics, NY, USA) ,  WILLE W. (IBM Microelectronics, NY, USA) ,  JAISWAL R. (Applied Materials Ltd., NY, USA) ,  GALIANO M. (Applied Materials Ltd., NY, USA) ,  JAIN A. (Applied Materials Ltd., NY, USA)
資料名： IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop  (IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop)
巻： 17th  ページ： 71-76  発行年： 2006年 
JST資料番号： W0718A  ISSN： 1078-8743  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体プロセスにて,180nm以上のCMOSノードには,電気...

シソーラス用語： CMOS構造 ,...
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS ,  高アスペクト比 ,  プロセス ,  STI ,  ギャップ