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J-GLOBAL ID：200902231322729638   整理番号：09A1038726

ESD保護素子における絶縁破壊電圧ウォークアウト効果

Breakdown Voltage Walkout Effect in ESD Protection Devices

著者 (3件)： LAFONTEESE D. J. (National Semiconductor Corp., CA, USA) ,  VASHCHENKO V. A. (National Semiconductor Corp., CA, USA) ,  KORABLEV K. G. (National Semiconductor Corp., CA, USA)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 47th Vol.2  ページ： 659-662  発行年： 2009年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ESD保護ではESD保護ウインドウを的確に決める必要がある。ESD素子では絶縁破壊電圧ウォークアウトが重要な役割を果たしている。本稿では,ドレイン拡張MOS ESD素子の絶縁破壊電圧ウォークアウト効果を検討した。CMOSプロセスでLOCOSアイソレーションを有する拡張電圧SCR素子を作製した。本素子の絶縁破壊電圧ウォークアウト及び絶縁破壊電圧のドレイン-ゲート重なり依存性を調べた。ドレイン拡張ESD素子の物理デバイス数値シミュレーションも行った。この結果により,絶縁破壊電圧ウォークアウト効果に対する物理機構がドレイン拡張領域上の絶縁層へのホットエレクトロンの捕獲であることを示した。ドレイン拡張領域とゲートとの重なりを除去して,絶縁破壊電圧ウォークアウト効果を低減した。この手法により酸化物領域の衝撃イオン化を減少させて電荷捕獲を少なくした。

シソーラス用語： *電気保護 ,  絶縁破壊 ,  MOS構造 ,  LOCOS ,  アイソレーション【IC】 ,  サイリスタ ,  ドレイン【半導体】 ,  ゲート【半導体】 ,  計算機シミュレーション ,  ホットエレクトロン ,  酸化物 ,  衝突イオン化 ,  *絶縁破壊電圧 ,  電荷捕獲 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： *ESD保護 ,  SCR【サイリスタ】 ,  デバイスシミュレーション ,  衝撃イオン化

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： ESD保護 ,  絶縁破壊電圧 ,  ウォーク