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J-GLOBAL ID：200902244874060753   整理番号：08A1224244

室温で堆積したクロムドープ酸化インジウムすず膜の光-電子特性

Opto-electronic properties of chromium doped indium-tin-oxide films deposited at room temperature

著者 (5件)： CHANG Wei-che (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Cheng Kung Univ., Tainan, Taiwan, TWN) ,  CHANG Wei-che (Center for Micro/Nano Sci. and Technol., National Cheng Kung Univ., Tainan, Taiwan, TWN) ,  LEE Shih-chin (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Cheng Kung Univ., Tainan, Taiwan, TWN) ,  YANG Chih-hao (Dep. of Res. & Dev., Original Happy Enterprise Co, Tainan County 710, Taiwan, TWN) ,  LIN Tien-chai (Dep. of Electrical Engineering, Kun Shan Univ., Tainan, Taiwan, TWN)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 153  号： 1-3  ページ： 57-61  発行年： 2008年09月25日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： クロムをドープした酸化インジウムすず(ITO)膜をクロムターゲットのラジオ周波数(RF)マグネトロンスパッタリングによりスパッタリングパワーをいろいろと変えてCorning7059ガラス上に堆積した。実験の結果,表面粗さはCrの同時スパッタリングにより少し減少することが分かった。室温で堆積した純粋なITO膜はアモルファス様であった。クロムターゲットのパワー15WではITO:Cr膜の構造は主に(222)結晶面から成っており,少数の(211),(440),(662)結晶面をもっていた。ITO膜のキャリア密度はクロムドーピングの増加とともに増加したが,キャリア移動度は減少した。クロムターゲットのスパッタリングパワーが7.5Wのときキャリア移動度は最大となり27.3cm²V^-1s^-1,キャリア密度は最小で2.47×10²⁰cm^-3,及び抵抗率は最小となり7.32×10^-4Ωcmであった。全てのクロムドープITO膜の波長域300~800nmにおける透過率は70~85%に達した。さらに,キャリア密度の増加によるUV-visスペクトルのブルーシフトは観測されなかった。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *クロム ,  *ドーピング ,  *酸化インジウムスズ ,  化合物半導体 ,  *透明導電膜 ,  半導体薄膜 ,  RFスパッタリング ,  マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  *キャリア密度 ,  *キャリア移動度 ,  電気抵抗率 ,  透過率 ,  *光学定数 ,  非晶質半導体

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 室温 ,  堆積 ,  クロム ,  ドープ ,  酸化インジウムすず ,  電子