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J-GLOBAL ID：200902253267041030   整理番号：09A0647059

ナノ-SQUIDのヒステリシス特性-捕獲された渦メモリとして応用

Hysteretic behaviour of nanoSQUIDs-prospective application as trapped-vortex memory

著者 (2件)： LAM Simon K H (CSIRO, NSW, AUS) ,  GNANARAJAN Sabaratnasingam (CSIRO, NSW, AUS)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 22  号： 6  ページ： 064005,1-5  発行年： 2009年06月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ボルテッナノ-SQUIDのヒステリシス特性,とくに捕獲された渦メモリとしての応用について議論する。ナノ-SQUIDのヒステリシス特性から,Nb/Auの二重層から成るマイクロストリップに関するボルテックスの浸入磁場を決定した。ここで研究したマイクロブリッジの電流-電圧特性から,Nb/Au薄膜における渦の浸入はNbに比べて可成り小さいことが分かった。この結果は,Nb/Auの二重層から成るナノ-SQUIDにおいて観測される低い浸入磁場とも矛盾しないことが分かった。

シソーラス用語： *SQUID ,  *固体素子 ,  ヒステリシス ,  渦 ,  記憶素子 ,  ニオブ ,  金 ,  多層膜 ,  マイクロストリップ線路 ,  金属薄膜 ,  超伝導 ,  電流電圧特性 ,  渦糸 ,  二重層 ,  *ナノデバイス
準シソーラス用語： *ナノ素子 ,  マイクロストリップ

分類 (1件)： Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (5件)： SQUID ,  ヒステリシス特性 ,  捕獲 ,  渦 ,  応用