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J-GLOBAL ID：200902265380355251   整理番号：08A0326150

65/45nmノード洗浄・乾燥技術(FEOL.BEOL)

著者 (1件)： 冨田寛 (東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ)
資料名： 電気化学および工業物理化学  (Electrochemistry)
巻： 76  号： 4  ページ： 303-305  発行年： 2008年04月05日 
JST資料番号： G0072A  ISSN： 1344-3542  CODEN： EECTFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体製造プロセスの一つである洗浄プロセスは,近年の急激な微細化,並びに特殊金属材料等の導入が進むにつれ,従来型の洗浄プロセスでは対応できない課題が増えてきた。ここでは,フロントエンドプロセス(FEOL)とバックエンドライン(BEOL)での従来型の洗浄プロセスの課題と,これらを65/45nmノードのデバイス製造に適用させるための新たな洗浄プロセスの取り組みを紹介した。FEOL及びBEOL共にMHz洗浄,二流体Jet洗浄に頼らない新しいパーティクル除去技術を確立することが次世代デバイスの歩留まり確保のために必須となる。また循環液を用いる際の蓄積汚染(ドライエッチング加工残渣,パーティクル等)に対する解として枚葉One pass洗浄技術の確立が急務である。

シソーラス用語： 半導体 ,  *半導体素子 ,  *半導体プロセス ,  *洗浄 ,  *乾燥 ,  精密化 ,  粒子 ,  除去 ,  *歩留り ,  超音波洗浄 ,  洗浄剤 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線光電子スペクトル ,  寸法精度 ,  エッチング
準シソーラス用語： BEOL ,  半導体デバイス ,  微細化

分類 (2件)： 固-液界面  (CB12050B) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (8件)：

• OTANI, Y. Japanese Patent, P2821887. 1998
• TOMITA, H. Proc. ultra clean process of silicon surface conference (UCPSS), 2006. 2006, 122
• KIM, K. International Electric Devices Meeting Technical Digest, 2005. 2005
• LEE, T.-P. J. Vacuum Sci. Tech. B. 2004, 22, 2295
• 永島幸延. 第67回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2006. 2006, 703

タイトルに関連する用語 (4件)： ノード ,  洗浄 ,  FEOL ,  BEOL