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J-GLOBAL ID：200902065724312930   整理番号：90A0025971

特集 次世代の配線技術 バイアススパッタ法の行方

Special article : Wiring technology for next generation. Future of the bias sputtering method.
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著者 (5件)：
渡部潔

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(富士通)

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針生武徳

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(富士通)

富士通 について

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井上実

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(富士通)

富士通 について

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高田忠一

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(富士通)

富士通 について

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土川春穂

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(富士通)

富士通 について


資料名：
月刊Semiconductor World  (月刊セミコンダクターワールド)

月刊Semiconductor World について


巻： 8  号： 14  ページ： 186-188  発行年： 1989年12月 
JST資料番号： Y0509A  ISSN： 0286-5025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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平坦性,EM寿命の問題をクリアできる技術として,高温バイアス...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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RFスパッタリング

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MTF【関数】

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分類 (1件)：
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

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タイトルに関連する用語 (3件)：
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