文献
J-GLOBAL ID:200902184069236133   整理番号:03A0647250

レジスト塗布工程におけるスキャン塗布・減圧乾燥技術の開発-その機構解明へ向けての研究-

Scan coating in resist coating process and drying technology under reduced pressure -Research aiming elucidation of its mechanism.
著者 (9件):
資料名:
ページ: 41-49  発行年: 2001年 
JST資料番号: N20031495  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
次世代の半導体デバイスに用いられるマスク製造技術確立のため,...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0647250&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=N20031495") }}
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般 

前のページに戻る