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J-GLOBAL ID：200902252485787217   整理番号：09A0761954

Chemical Solution Deposition法によるPb(Zr_0.53Ti_0.47)O₃薄膜の結晶配向制御

Crystal Orientation Control Technique for Pb(Zr_0.53Ti_0.47)O₃ Thin Films Derived by Chemical Solution Deposition

著者 (3件)： 野田俊成 (パナソニック エレクトロニックデバイス 開発技術セ) ,  小牧一樹 (パナソニック エレクトロニックデバイス 開発技術セ) ,  川崎哲生 (パナソニック エレクトロニックデバイス 開発技術セ)
資料名： パナソニック技報  (Panasonic Technical Journal)
巻： 55  号： 2  ページ： 108-112  発行年： 2009年07月15日 
JST資料番号： G0474A  ISSN： 1883-115X  CODEN： PGAIBU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 優れた圧電特性,強誘電特性を有するPb(Zr_0.53Ti_0.47)O₃(PZT)薄膜は,アクチュエータ,各種センサ,そして不揮発性メモリーなどへ応用されている。PZT薄膜は,その配向方向により物理定数が異なることが知られており,特に正方晶系においては,分極軸に平行なc軸配向制御を実現することで高い圧電性・強誘電性を示す。そこで,c軸配向膜を得るためにさまざまなプロセスによる研究がなされている。しかし,真空設備が不要で大面積成膜が容易という特徴があるCSD(Chemical Solution Deposition)法においては,c軸選択配向が実現されている例は極めて少ない。そこで,筆者らは新たに圧縮応力誘起とシード層による結晶配向制御技術を開発した。熱膨張係数の大きいステンレス基板を採用し,シード層としてLaNiO₃薄膜を作製し,その上に形成したPZT薄膜へ積極的な圧縮応力印加を行うことで,89%という高いc軸配向度と,残留分極P_r=31.4μC/cm²という優れた強誘電体特性を有するPZT薄膜を作製することができた。(著者抄録)

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *配向 ,  *強誘電体 ,  下層 ,  ランタン化合物 ,  酸化ニッケル ,  *溶液成長 ,  *薄膜成長 ,  圧縮応力 ,  熱膨張係数
準シソーラス用語： シード層 ,  CSD法

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (12件)：

• 小牧一樹 他: スパッター法を用いた強誘電体薄膜とそれを用いた圧電デバイスの作製機能材料 28, No.12, p. 12(2008).
• Panasonic 電子デバイス・産業川機械 (光部品・センサ・表示)「角速度センサ」 http://industrial.panasonic.com/www-ctlg/ctlgj/qARC0000_JP.html (参照 2009.6.5).
• J. F. Scott, et al.: Ferroelectric memories. Science 246, p. 1400(1989).
• M. Tani, et al.: A two-axis piezoelectric tilting micromirror with a newly developed PZT-meandering actuator. MEMS 2007. IEEE 20th International Conference, p. 699(2007).
• I. Kanno, et al.: Piezoelectric properties of c-axis oriented Pb (Zr, Ti) O₃ thin films. Appl. Phys. Lett.70, p. 1378(1997).

タイトルに関連する用語 (4件)： Pb ,  O3 ,  薄膜 ,  結晶配向