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J-GLOBAL ID：201002249826068710   整理番号：10A0955472

仕事関数工学によるAl_0.72Ga_0.28N/AlN/GaN HEMTにおける閾値電圧制御

Threshold Voltage Control in Al_0.72Ga_0.28N/AlN/GaN HEMTs by Work-Function Engineering

著者 (9件)： LI Guowang (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  ZIMMERMANN Tom (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  CAO Yu (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  LIAN Chuanxin (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  XING Xiu (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  WANG Ronghua (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  FAY Patrick (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  XING Huili Grace (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  JENA Debdeep (Univ. Notre Dame, IN, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 9  ページ： 954-956  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 70%を超える高いAl組成のAlGaN HEMT(高電子移動度トランジスタ)とその閾値電圧制御について報告した。ディジタル回路や低損失高電力スイッチングにはエンハンスメントモード(Eモード)のAlGaN HEMTが望ましく,EモードHEMTを実現するために多くの閾値電圧制御手法が開発されてきた。しかし,全ての先行研究は40%未満の低いAl組成のAlGaNに関してなされてきた。深サブマイクロメートルHEMTの電力やRF性能を促進するには高いAl組成のAlGaN層が望ましい。本研究において,高電子移動度を新しい高Al組成AlGaN二次元電子ガス構造で達成した。このHEMTの閾値電圧は,ゲート金属の仕事関数の差異に応じてシフトすることが観測された。この結果は,仕事関数工学を使用してEモードとディプリーション(Depletion)モードのAlGaN HEMTを作りだせる可能性を示唆している。

シソーラス用語： *HEMT ,  半導体材料 ,  閾値 ,  *仕事関数 ,  二次元電子ガス ,  閾値電圧 ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 仕事関数 ,  工学 ,  AlN ,  GaN ,  HEMT ,  閾値電圧