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J-GLOBAL ID：201102270891312463   整理番号：11A0005033

集積されたNウェル抵抗器の低周波数ノイズ

Low-Frequency Noise in Integrated N-WELL Resistors

著者 (3件)： SRINIVASAN P. (Texas Instruments, TX, USA) ,  XIONG W. (Texas Instruments, TX, USA) ,  ZHAO S. (Texas Instruments, TX, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 12  ページ： 1476-1478  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 浅いトレンチ絶縁(STI)プロセスを使う集積されたNウェル抵抗器の低周波数(LF)ノイズについて初めて研究した。個別部品の抵抗の熱的ノイズとは異なり,LFノイズはフリッカー(1/f^γ)タイプである。ノイズの起源と振る舞いは数ゆらぎ理論を使って理解される。ノイズはプロセス条件(ドーズ量,注入エネルギー,アニール条件,STIの深さ)を変えて評価した。フリッカ・ノイズに対するそれらの影響を利点の指標として使われる規格化ノイズ係数を使って総覧した。ノイズはSTIの深さに敏感であり,主としてキャリア濃度のピークとn⁺Si/STI界面との距離に依存することがわかった。

シソーラス用語： *アイソレーション【IC】 ,  低周波雑音 ,  *抵抗器 ,  *1/f雑音 ,  ゆらぎ ,  集積回路
準シソーラス用語： *STI【アイソレーション】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 集積 ,  ウェル ,  抵抗器 ,  低周波数 ,  ノイズ