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J-GLOBAL ID：201202201664047317   整理番号：12A0424343

シングルポートとデュアルポートSRAMの最小動作電圧V_minにおける動的安定性

Dynamic Stability in Minimum Operating Voltage Vmin for Single-port and Dual-port SRAMs

著者 (8件)： TSUKAMOTO Y. (Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN) ,  KIDA T. (Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN) ,  YAMAKI T. (Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN) ,  ISHII Y. (Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN) ,  NII K. (Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN) ,  TANAKA K. (Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN) ,  TANAKA S. (Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN) ,  KIHARA Y. (Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN)
資料名： Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference  (Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference)
巻： 2011  ページ： 417-420  発行年： 2011年 
JST資料番号： H0843A  ISSN： 0886-5930  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFETのスケーリングに伴うV_thばらつきの増加で,読み出しと書き込みが同時に常にはできないという懸念が生じる。これは読み書き動作の最小動作電圧V_minにおけるトレードオフとして見られる。動的安定性はワード線パルス幅,電圧雑音,その他ACパラメータに依存する。本稿はシングルポートだけでなくでデュアルポートSRAMの動的安定性を28nmバルクCMOS技術のV_min測定値を比較して検討した。いろいろなパルス幅に対するV_minを決定する最も可能性のある故障点(MPFP)を調べた。デュアルSRAMに関して,非同期動作におけるポート間のワード線パルススキューで劣化するワーストV_minに対するMPFPを同定した。シミュレーション結果の有効性を28nm世代のSRAMモジュールの測定データとの比較で検証した。

シソーラス用語： *SRAM ,  *動的安定性 ,  MOSFET ,  スケーリング【計数】 ,  電圧 ,  配線 ,  パルス ,  信号歪 ,  *閾値電圧 ,  歪
準シソーラス用語： スキュー ,  ワード線

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： シングルポート ,  デュアル ,  ポート ,  SRAM ,  動作電圧 ,  動的安定性