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J-GLOBAL ID：201402296751931121   整理番号：14A0056092

シリコンカーバイトパワーJFETの熱安定性

Thermal Stability of Silicon Carbide Power JFETs

著者 (6件)： BUTTAY Cyril (Univ. Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  OUAIDA Remy (Thales Microelectronics, Etrelles, FRA) ,  MOREL Herve (Univ. Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  BERGOGNE Dominique (Univ. Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  RAYNAUD Christophe (Univ. Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  MOREL Florent (Univ. Lyon, Villeurbanne, FRA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 12  ページ： 4191-4198  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC JFETの熱不安定性による故障原因は,ゲート制御性の欠如と導電度不良による熱暴走がある。前者はゲートドライバーを使って簡単に回避出来る。後者はSiCの抵抗の単純な温度依存性に基づいているので対処が困難である。温度が上昇すると飽和電流が低下してトランジスタのソースドレイン間抵抗が増加する。この結果損失が大きくなって熱暴走がトリガーされる。これらの結果から,JFETは効果的な冷却システムを伴う必要がある。さらに,ドレインソース間の電圧が数Vを超えるときにトランジスタをオフにするゲートドライバーの保護回路を付けなければならない。両条件が満たされるならば,Si JFETはかなりの電流密度でも高信頼動作を広い温度範囲で示す。

シソーラス用語： *接合形FET ,  *炭化ケイ素 ,  現象 ,  半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス ,  *熱安定性 ,  冷却系機器 ,  電気回路 ,  電流電圧特性 ,  熱暴走
準シソーラス用語： JFET ,  シリコンカーバイト ,  パワーデバイス ,  炭化シリコン ,  保護回路 ,  冷却システム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： JFET ,  熱安定性