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J-GLOBAL ID：201502207367866873   整理番号：15A0992390

CuGa(0.8)Ge(0.2)Se_2膜の微細構造と光学的性質に及ぼすアニーリング温度の影響【Powered by NICT】

Influence of Annealing Temperature on Microstructures and Optical Properties of CuGa_(0.8)Ge_(0.2)Se_2 Films

著者 (5件)： Xiao Lingling (School of Physical Sci. and Technol.,Inner Mongolia Univ.,Inner Mongolia Key Lab. of Semiconductor Photovoltaic ...) ,  Ding Tiezhu (School of Physical Sci. and Technol.,Inner Mongolia Univ.,Inner Mongolia Key Lab. of Semiconductor Photovoltaic ...) ,  Zheng Pingping (School of Physical Sci. and Technol.,Inner Mongolia Univ.,Inner Mongolia Key Lab. of Semiconductor Photovoltaic ...) ,  Fan Yue (School of Physical Sci. and Technol.,Inner Mongolia Univ.,Inner Mongolia Key Lab. of Semiconductor Photovoltaic ...) ,  Bo Qingrui (School of Physical Sci. and Technol.,Inner Mongolia Univ.,Inner Mongolia Key Lab. of Semiconductor Photovoltaic ...)
資料名： Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao  (Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao)
巻： 35  号： 1  ページ： 23-26  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2159A  ISSN： 1672-7126  CODEN： CKKSDV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： CuGa(0.8)Ge(0.2)Se_2薄膜はSiO_2基板上にパルスレーザ蒸着(PLD)によって合成した。皮膜の光学的性質に及ぼす成長条件,アニーリング温度,レーザ強度とGe含量に限定されるだけでなく,の影響を調べた。CuGa0.5Si0.8Ge0.2Se2薄膜はX線回折,エネルギー分散分光法,走査電子顕微鏡および紫外可視分光光度計を用いて特性化した。結果はGeドーピングとアニーリング温度は,微細構造と光学的性質に影響を及ぼす強いことを示した。例えば,アニール温度が増加するにつれて,CuGa(0.8)Ge(0.2)Se_2結晶粒の平均サイズは増加し,光学バンドギャップの減少を伴う<112>優先成長方位が600ないし°Cで最も顕著であった。Gedopingは中間バンドの形成をもたらした。特有の光子吸収エネルギーは0.65と0.92eVであることが分かった。ギャップは1.57eVであると計算された。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  薄膜 ,  焼なまし ,  レーザ ,  *微細構造 ,  結晶粒 ,  X線回折 ,  *光学的性質 ,  キャラクタリゼーション ,  皮膜 ,  光学ギャップ ,  ドーピング
準シソーラス用語： 紫外可視分光光度計 ,  エネルギー分散分光法 ,  *アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  微細構造 ,  光学的性質 ,  アニーリング温度