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J-GLOBAL ID：201502207374568675   整理番号：15A1063209

多層シリセン:Dirac表面状態を持つ弱緩和Si(111)に対するボトムアップアプローチ

Multilayered silicene: the bottom-up approach for a weakly relaxed Si(111) with Dirac surface states

著者 (9件)： FU Huixia (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190 ...) ,  CHEN Lan ,  CHEN Jian ,  QIU Jinglan ,  DING Zijing ,  ZHANG Jin ,  WU Kehui ,  LI Hui ,  MENG Sheng
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 7  号： 38  ページ： 15880-15885  発行年： 2015年10月14日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理研究と走査型トンネル顕微鏡を組み合わせて,van der Waals充填多層シリセンシートが,強い層間結合によって,自発的にダイヤモンド構造のバルクSi膜に転換することを突き止めた。従来のSi(111)上の劇的な表面再構成と対照的に,ボトムアップエピタクシーによりAg(111)上に作成した多層シリセンは,ほんのわずかな屈曲を持つほぼ理想的な平坦面を示した。Ag界面活性剤を用いること無く,単層シリセンと同様な鏡映対称斜方相の動的揺らぎによって√3×√3ハニカムパターンが出現した[Chenら,Phys.Rev.Lett.,2013,110,085504]。弱緩和により,Dirac線形分散を持つ新奇な表面状態が可能になった。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *多層 ,  *ケイ素 ,  計算 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  van der Waals力 ,  ダイヤモンド型結晶 ,  表面再構成 ,  エピタクシー ,  対称性 ,  電子系 ,  半導体 ,  *電子状態
準シソーラス用語： Dirac電子系 ,  *シリセン ,  ダイヤモンド構造 ,  鏡映対称性 ,  第一原理計算 ,  *表面電子状態

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多層 ,  シリセン ,  緩和 ,  Si ,  ボトムアップ