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J-GLOBAL ID：201502207526665850   整理番号：15A0820431

多結晶シリコンゲルマニウムゲートしきい値電圧の歪みSiGeチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタに関する研究【Powered by NICT】

Study on the strained SiGe p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with polycrystalline silicon germanium gate threshold voltage

著者 (8件)： Liu Xiangyu (Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an) ,  Hu Huiyong (Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an) ,  Zhang Heming (Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an) ,  Xuan Rongxi (Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an) ,  Song Jianjun (Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an) ,  Shu Bin (Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an) ,  Wang Bin (Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an) ,  Wang Meng (Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 63  号： 23  ページ： 237302-1-237302-6  発行年： 2014年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本研究では,多結晶Si(1-x)Ge_xゲートを持つ歪みSiGeチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(PMOSFET)を研究した。垂直電場と電位分布の解析に基づいて,ポリSi(1-x)Ge_xゲートを持つ歪みSiGe PMOSFETの装置酸化膜厚を確立した。機構と誘起されたホットキャリアの影響を研究した。しきい値電圧のドリフトのモデルを確立した;印加電気的ストレスの期間,ゲート電圧,ポリSi(1-x)Ge_xゲートのGe含有量と歪SiGeとの関係も得られた。以上の結果に基づいて,シミュレーション結果を実験データと比較した。しきい値電圧のドリフトは10000秒以下で0.032V電気ストレスである。良好な一致が観測され,これは提案したモデルの妥当性を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *チャネル ,  ポリプロピレン ,  *酸化物 ,  *多結晶 ,  膜厚 ,  *ポリシリコン ,  *半導体 ,  電場 ,  ホットキャリア ,  *ゲルマニウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  電位分布 ,  応力
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  *閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 数理物理学  (BA03000W) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 多結晶シリコン ,  ゲルマニウム ,  ゲート ,  しきい値電圧 ,  歪み ,  SiGe ,  チャネル ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  研究