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J-GLOBAL ID：201502255396106377   整理番号：15A0640721

Ti-Sb-Te合金:高速及び長寿命相変化メモリに対する候補

Ti-Sb-Te Alloy: A Candidate for Fast and Long-Life Phase-Change Memory

著者 (10件)： XIA Mengjiao (Shanghai Inst. Micro-System and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  XIA Mengjiao (Univ. Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ZHU Min (Shanghai Inst. Micro-System and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  WANG Yuchan (Shanghai Inst. Micro-System and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  WANG Yuchan (Univ. Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  SONG Zhitang (Shanghai Inst. Micro-System and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  RAO Feng (Shanghai Inst. Micro-System and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  WU Liangcai (Shanghai Inst. Micro-System and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  CHENG Yan (Shanghai Inst. Micro-System and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  SONG Sannian (Shanghai Inst. Micro-System and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 7  号： 14  ページ： 7627-7634  発行年： 2015年04月15日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sb-Te膜の欠点を,Tiを添加する(Ti-Sb-Te合金)(TST)ことにより,その高速スイッチング速度を劣化させること無く,効果的に克服した。Ti_0.32STは,すでに,79°C@10年のデータ保持を示した。良好な熱安定性は,より高いTi濃度により得られた。ドープTiから生じる結晶粒サイズの劇的な精緻化は,相変化膜と基板との間の付着力を改善するだけでなく,結晶化過程をスピードアップした。TSTテストチップは,10ns動作速度,及び~10⁶サイクリング耐久性を実証した。

シソーラス用語： *チタン ,  *ドーピング ,  *アンチモン含有合金 ,  *テルル合金 ,  ゲルマニウム含有合金 ,  材料 ,  *相転移 ,  *不揮発性メモリ ,  *耐久性 ,  *高速度 ,  寿命 ,  依存性 ,  *化学組成 ,  *熱安定性 ,  *含有量 ,  結晶度 ,  熱伝導率 ,  相分離 ,  反射率 ,  X線反射 ,  シミュレーション ,  シート抵抗 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  制限視野回折 ,  相変化材料 ,  組成依存性 ,  X線反射率
準シソーラス用語： 相変化メモリ ,  持久性 ,  長寿命

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ti ,  Sb ,  Te合金 ,  長寿命 ,  相変化メモリ