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J-GLOBAL ID：201502256854825937   整理番号：15A0572531

厚みが様々に変わるシリコンスラブの表面光起電力のモデリング

Modeling the surface photovoltage of silicon slabs with varying thickness

著者 (3件)： VAZHAPPILLY Tijo (Univ. Pittsburg, PA, USA) ,  KILIN Dmitri S (Univ. South Dakota, SD, USA) ,  MICHA David A (Univ. Florida, FL, USA)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 27  号： 13  ページ： 134204,1-9  発行年： 2015年04月10日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  光起電力 ,  *バンドギャップ ,  *半導体薄膜 ,  表面準位 ,  スラブ ,  密度汎関数法 ,  電子-フォノン相互作用 ,  相互作用 ,  状態密度 ,  閉込め ,  ハイブリッド密度汎関数法 ,  電子状態密度 ,  *表面光起電力
準シソーラス用語： 一般化勾配近似法 ,  電子-励起子相互作用

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 厚み ,  シリコン ,  スラブ ,  表面光起電力 ,  モデリング