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J-GLOBAL ID：201602005723197227   整理番号：71A0040003

プレーナ形をトランジスタのアバランシェ降伏によるエミッタの劣化

On the emitter degradation by avalanche breaktown in planar transistors.

著者 (1件)： VERWEY J F
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 14  号： 9  ページ： 775-782  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プレーナ形トランジスタのエミッタ・ベース接合がアバランシェ降伏を起こすと低電流における電流利得が減少する。この現象を比較的低いベース不純物添加領域のトランジスタで研究しエミッタ・ベース接合上の電界板に電圧を印加することによって,界面の降伏を制御し,この劣化が接合にそって均一に生じ,逆電流による局部的加熱によるものでないことを示した。アバランシェによって界面準位が生じ,酸化膜中に電荷が生じる。損傷面積を計算して酸化膜中の電荷の初期発生率を求めた。これは界面準位の初期形成率よりも3けたほど大きい。安定なトランジスタの構造について検討した;写図10参20

シソーラス用語： 表面状態
準シソーラス用語： アバランシェ破壊 ,  プレーナトランジスタ ,  降伏現象 ,  接合容量

分類 (2件)： (PN060105) ,  (EC040103)

タイトルに関連する用語 (4件)： プレーナ ,  トランジスタ ,  アバランシェ降伏 ,  エミッタ