抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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トランジスタの低闘波雑音は電流密度,表面現象と結晶欠陥が原因といってよい。著者らは低雑音トランジスタ開発のためこれらにつき検討の結果,過剰雑音は結晶欠陥が主因であることを発見した.結晶欠陥はおもに酸素の存在と原子の不整合である。無輯位ウエーハを用い,エミッタ形成には従来のりん散拡散にひ素を添加して不整合を改善した完全結晶素子2SC1000(NPNトランジスタ)を開発した。これは過剰雑音はほとんどなく理論値に近い特性を示している。また耐圧を高くしてダイナミックレンジを広くとれるように設計し,セットのわい率を下げている;写図15参14