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J-GLOBAL ID：201602215885332767   整理番号：16A0735910

InPベースH EMTを用いたWバンド高利得と低雑音増幅器MMIC【JST・京大機械翻訳】

A W-band high-gain and low-noise amplifier MMIC using InP-based HEMTs

著者 (4件)： Zhong Yinghui (School of Physics and Engineering, Zhengzhou University) ,  Li Kaikai (School of Physics and Engineering, Zhengzhou University) ,  Li Xinjian (School of Physics and Engineering, Zhengzhou University) ,  Jin Zhi (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Hongwai yu Haomibo Xuebao  (Hongwai yu Haomibo Xuebao)
巻： 34  号： 6  ページ： 668-672  発行年： 2015年 
JST資料番号： C0174C  ISSN： 1001-9014  CODEN： HHXUEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,単段Wバンド低雑音増幅器(LNA)モノリシックミリ波集積回路(MMIC)をInPベース高電子移動度トランジスタlechnologyを用いて設計し,作製した。LNA MMICカスコードトポロジーとコプレーナ導波路技術,95GHzで15.2dBの最大値と84GHzから100GHzまで900μm×975μmの大きさと10dB以上のかなり高い線形利得をもつ非常にコンパクトなチップをもたらすを開発した。我々の知る限りでは,この単段LNA MMICを報告W帯低雑音増幅器MMICの中で最高の体重増当たりの段階と競争利得面積比を示した。さらに,増幅器は,87.5GHzで 4.3dBの比較的低い雑音指数と室温で88.8GHzで8.03dBmのかなり高い飽和出力パワーを実証した。LNA MMICの作製に成功したことは,Wバンド信号受信機フロントエンドシステムの構築に非常に重要である。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

著者キーワード (4件)： high electron mobility transistor (HEMT) ,  low noise amplifier ,  InP ,  cascode

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  EMT ,  Wバンド ,  高利得 ,  低雑音増幅器 ,  MMIC