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J-GLOBAL ID：201602222569412056   整理番号：16A1108953

SWIR低暗電流撮像用のInGaAs導波モード共鳴フォトダイオードについての新たなデザイン

New design of InGaAs guided-mode resonance photodiode for SWIR low dark current imaging

著者 (9件)： VERDUN Michael (Univ. Paris-Saclay, Marcoussis, FRA) ,  VERDUN Michael (Univ. Paris-Saclay, Palaiseau, FRA) ,  PORTIER Benjamin (Univ. Paris-Saclay, Marcoussis, FRA) ,  JAWOROWICZ Katarzyna (Univ. Paris-Saclay, Marcoussis, FRA) ,  JAECK Julien (Univ. Paris-Saclay, Palaiseau, FRA) ,  DUPUIS Christophe (Univ. Paris-Saclay, Marcoussis, FRA) ,  HAIEDAR Riad (Univ. Paris-Saclay, Palaiseau, FRA) ,  PARDO Fabrice (Univ. Paris-Saclay, Marcoussis, FRA) ,  PELOUARD Jean-Luc (Univ. Paris-Saclay, Marcoussis, FRA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9884  ページ： 988435.1-988435.7  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の共鳴フォトダイオードを作製した。SWIR(短波赤外)領域で数種の共鳴を励起することにより吸収が増強される。このデバイスはサブ波長の層状格子と金ミラーの上部に90nmの薄い活性層があるInP/InGaAs/InPのPinヘテロ接合で構成されている。シミュレーションにより各ピクセルの電気光学特性を比較した。ほぼ完全な光キャリアの集積及び外部量子効率(71%)を観測した。

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  リン化インジウム ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  ヘテロ接合 ,  電気光学効果 ,  量子効率 ,  赤外線 ,  暗電流 ,  撮像 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： PINフォトダイオード ,  外部量子効率 ,  SWIR

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (8件)： SWIR ,  暗電流 ,  撮像 ,  InGaAs ,  導波モード ,  共鳴 ,  フォトダイオード ,  デザイン