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J-GLOBAL ID:201602222572423378   整理番号:16A0977879

高効率DC-DCコンバータのためのゲートドライバを含む完全集積化GaNベースパワーIC【Powered by NICT】

A fully integrated GaN-based power IC including gate drivers for high-efficiency DC-DC Converters
著者 (8件):
資料名:
巻: 2016  号: VLSI Circuits  ページ: 1-2  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,高周波数(MHz)領域で動作することができる最先端の集積GaNパワーICを提示した。これは,パワーICの,最大60%,システムサイズ縮小を実現した。ICは二出力パワートランジスタ(PT)と二ゲートドライバ(GD)から構成されている。ICにおけるキーデバイスはPTとGDのノーマリオフゲート注入トランジスタ(GIT)とGDのノーマリオンヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)である。このような大きな閾値電圧差は可能性のあるトランジスタの統合をしたAlGaN/GaN界面における2次元電子ガス(2DEG)のキャリア濃度の新しい局所制御について述べた。低寄生成分を特別に開発したポストっパシベーション相互接続プロセスについても述べた。12V-1.8V DC-DCコンバータに適用されたICは消費者エレクトロニクス電源系における今後の改善を示すSiの限界を超えた高周波数スイッチング動作を示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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信号理論  ,  医用画像処理 

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