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J-GLOBAL ID:201602230175804244   整理番号:16A0594991

単一分子前駆体によるPt(111)上グラフェンおよび六方晶窒化ホウ素の擬自立単層の形成

Formation of a Quasi-Free-Standing Single Layer of Graphene and Hexagonal Boron Nitride on Pt(111) by a Single Molecular Precursor
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資料名:
巻: 26  号:ページ: 1120-1126  発行年: 2016年02月16日 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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ジメチルアミンボラン(DMAB)の熱分解により,Pt(111)上に六方晶窒化ホウ素(h-BN)およびグラフェン(G)の面内ヘテロ接合を,単一分子前駆体から作製できることを明らかにした。光放出,吸収端近傍X線吸収スペクトル,低エネルギー電子顕微鏡および温度プログラムされた脱離測定は,層がPt(111)表面を完全に覆っていることを示した。面内層の連続性とPt基板との弱い相互作用の証拠を確認した。これらの結果は,DMABの脱水素化と熱分解が,Pt(111)のような金属基板上で同一2Dシート内に低いパーセンテージ(<3%)の不純物(BおよびNドープGドメインあるいはCドープh-BNあるいは境界に炭窒化ホウ素BCN)しか含まない殆どG,h-BNから成る連続したほぼ自立した層を得るための有効で容易な方法であることを実証し,次世代Gライクベースのエレクトロニクスおよび新たなスピントロニックデバイスの進展に対する道を開いた。Copyright 2016 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  セラミック・陶磁器の製造 
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