文献

J-GLOBAL ID：201602232682696749   整理番号：16A0802131

FastRead:マルチレベル・セルフラッシュメモリのための改善読出し性能【Powered by NICT】

FastRead: Improving Read Performance for Multilevel-Cell Flash Memory

著者 (3件)： Chang Da-Wei (Department of Computer Science and Information Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan) ,  Lin Wei-Cheng (Department of Computer Science and Information Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan) ,  Chen Hsin-Hung (Department of Computer Science and Information Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems  (IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems)
巻： 24  号： 9  ページ： 2998-3002  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0516A  ISSN： 1063-8210  CODEN： ITCOB4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NANDフラッシュメモリをコンピュータと消費者電子デバイスに広く用いられている。マルチレベルセル(MLC)NANDフラッシュメモリは,二またはそれ以上のビットを可能にする細胞当たりの貯蔵,細胞密度を改善し,従って,コストを減少させた。MLC NANDの低価格は,消費者製品とデータセンタ市場の両方に現れる,としている。MLC NANDでは,ページ読込みレイテンシは,ページの型により変化した。読み込み支配型負荷のために,集中データをより長い読み込み潜時とページに劣化した読取性能をもたらす可能性がある。本短報で,FastReadと呼ばれるオンライン法はMLC NANDベースの貯蔵の読取性能を改善するために提案する。FastRead法は動的に読取集中データを同定し,読取性能を改善するために短い読込みレイテンシとページを移動する。性能結果によれば,FastReadは三重レベルセルNANDに読み込み支配型負荷のための22%(平均17%)による読出し応答時間を減少させることができる。さらに,FastReadは,書込み支配負荷の顕著な性能への影響を持たず,オーバヘッドはわずかであった。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 消費財 ,  応答時間 ,  細胞密度 ,  データセンタ ,  コンピュータ ,  *待ち時間 ,  消費者
準シソーラス用語： オンライン ,  低価格 ,  NAND ,  NANDフラッシュ ,  *マルチレベル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (1件)： 読出し