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J-GLOBAL ID:201602235217904864   整理番号:16A0578428

異なるβ-ジケトナート;配位子および補助配位子に基づく単核単一分子磁気挙動の特色をなす正方-反角柱配置をもつジスプロシウム(III)錯体

Dysprosium(iii) complexes with a square-antiprism configuration featuring mononuclear single-molecule magnetic behaviours based on different β-diketonate ligands and auxiliary ligands
著者 (10件):
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巻: 45  号: 12  ページ: 5310-5320  発行年: 2016年03月28日 
JST資料番号: A0270A  ISSN: 1477-9226  CODEN: DTARAF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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3つのβ-ジケトナート配位子,4,4,4-トリフルオロ-1-(4-メチルフェニル)-1,3-ブタンジオン(tfmb),4,4,4-トリフルオロ-1-(4-フルオロフェニル)-1,3-ブタンジオン(tffb)および4,4,4-トリフルオロ-1-(2-ナフチル)-1,3-ブタンジオン(tfnb)ならびに補助配位子,5-ニトロ-1,10-フェナントロリン(5-NO2-Phen),DMFおよび2,2′-ビピリジン(bpy)から導出された3つの単核ジスプロシウム(III)錯体すなわち,[Dy(5-NO2-Phen)(tfmb)3](1),[Dy(DMF)2(tffb)3](2)および[Dy(bpy)2(tfnb)3]・0.5(1,4-ジオキサン)(3)が合成され,構造特性評価された。1~3中の金属イオンは,D4d軸対称でほぼ正方-反角柱(SAP)配位環境を採った。1~3の磁気特性が調べられ,ゼロ-DC場下で弱い位相外れAC信号を示した。1200Oeの印加DC磁界で,1に対して頻度因子τ0=5.3×10-7sおよび実効障壁ΔE/kB=83Kならびに3に対して頻度因子τ0=3.09×10-7sおよび実効障壁ΔE/kB=39Kをもち,磁化の量子トンネル効果が1~3中で抑制された。興味深いことには,2のAC磁化率の位相外れ(χ′′)の周波数依存性に対して,高速緩和(FR)位相および遅い緩和(SR)位相にそれぞれ対応して,1200Oeの印加磁界下で磁化プロセスの2つの遅い緩和が発生した。Arrhenius解析は,SRに対して55Kの実効エネルギー障壁(ΔE/kB)および8.23×10-12の頻度因子(τ0)を与えた。したがって,錯体2中でのFRプロセスは,Dyイオン間での双極子相互作用あるいは印加磁界の存在によって増強されたQTMから結果として生じていることが非常に有望であった。いくつかのDy(III)ベース単核SMMsのSAP配置との構造-特性関係がさらに議論された。Copyright 2016 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (2件):
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第3族元素の錯体  ,  有機化合物の磁性 
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