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J-GLOBAL ID：201602235235748875   整理番号：16A0752289

表面Nelumbinis Folium酸化還元置換とアンダーポテンシャル堆積による層毎堆積したCuとCu(Mn)膜

Cu and Cu(Mn) films deposited layer-by-layer via surface-limited redox replacement and underpotential deposition

著者 (5件)： Fang J.S. (Department of Materials Science and Engineering, National Formosa University, Huwei 63201, Taiwan) ,  Sun S.L. (Department of Materials Science and Engineering, National Formosa University, Huwei 63201, Taiwan) ,  Cheng Y.L. (Department of Electrical Engineering, National Chi-Nan University, Nan-Tou 54561, Taiwan) ,  Chen G.S. (Department of Materials Science and Engineering, Feng Chia University, Taichung 40724, Taiwan) ,  Chin T.S. (Department of Materials Science and Engineering, Feng Chia University, Taichung 40724, Taiwan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 364  ページ： 358-364  発行年： 2016年02月28日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,電気化学原子層堆積(ECALD)法で層単位堆積したCuとCu(Mn)膜について報告した。マイクロエレクトロニクス用のCu相互接続としての適応性を明かにするために,膜の構造と特性を調べた。従来の研究では,Cuメタル化膜の形成に真空をベースとする原子層堆積を利用した。今度は,完全なウエット化学工程を使い,アンダーポテンシャル堆積と表面制限酸化還元置換を組み合わせて,ECALD工程によりCu膜を作成した。実験結果から,Pbの不適切なアンダーポテンシャル堆積が,その後のCuの表面律速酸化還元置換(SLRR)に影響して,PbSO₄の形成を生じることを示唆した。この結果を説明する機構を提案した。Cu(Mn)膜の層毎堆積は,SLRR-Cuとアンダーポテンシャル堆積-Mnの堆積サイクル比を交代して実行した。提案した自己制限成長法は,Cu相互接続の作成時に,層毎ウエット化学をベースとする堆積の可能性を与えるものである。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電着 ,  *銅 ,  マンガン ,  *金属薄膜 ,  マイクロエレクトロニクス ,  *相互接続 ,  *アンダポテンシャル電着 ,  *薄膜成長 ,  湿式法 ,  酸化還元反応
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  ECALD法 ,  *層毎成長

著者キーワード (6件)： Electrochemical atomic layer deposition ,  Underpotential deposition ,  Surface-limited redox replacement ,  Cu film ,  Cu(Mn) film ,  Cu interconnects

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化還元 ,  置換 ,  ポテンシャル ,  堆積 ,  層 ,  Cu ,  Mn