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J-GLOBAL ID:201602235236248672   整理番号:16A0835502

Ba(Zn1/3Nb2/3)O3による0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3Pb(Zr0.52Ti0.48)O3セラミックの誘電率および強誘電特性

Dielectric and ferroelectric properties modification of 0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 ceramics by Ba(Zn1/3Nb2/3)O3
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資料名:
巻: 76  ページ: 292-299  発行年: 2016年04月 
JST資料番号: B0954A  ISSN: 0025-5408  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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(1-x)[0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3Pb(Zr0.52Ti0.48)O3]-xBa(Zn1/3Nb2/3)O3セラミックス(ここで,x=0,0.025,0.05,0.075,および0.1)を,複合粉末法および二段階焼結法を用いて調べた。形態学から,最大粒径はx=0.1で約1.866μmであり,x=0.05では,最大粒径は3.81μmであることを示した。0.7PMN-0.3PZTは,BZN含有量によって修飾した場合,減少した誘電率,分散相転移,およびリラクサ強誘電体を示した。ヒステリシスループ測定からの分極により,BZNの増加とともに,飽和分極,残留分極,および抗磁場が減少することを示した。BZNを増加させると,線形ヒステリシスループ形状を有する電歪挙動を示すだけでなく,より低い電力のエネルギー印加のための良好な候補でもあった。0.122%の最大ひずみは,x=0.025で見出した。これらの結果から,BZNによって活性化した0.7PMN-0.3PZT系の重要性を実証した。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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セラミック材料  ,  分子構造と性質の実験的研究 
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