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J-GLOBAL ID：201602235247565979   整理番号：16A0806949

固体状態照明に向けて3次元GaNコアシェル構造の最近の進歩【Powered by NICT】

Recent developments of 3D GaN core shell architectures towards solid state lighting

著者 (16件)： Waag A. (Inst. of Semiconductor Technology, Braunschweig University of Technology, Germany) ,  Hartmann J. (Inst. of Semiconductor Technology, Braunschweig University of Technology, Germany) ,  Zhou Hao (Inst. of Semiconductor Technology, Braunschweig University of Technology, Germany) ,  Fundling S. (Inst. of Semiconductor Technology, Braunschweig University of Technology, Germany) ,  Ledig J. (Inst. of Semiconductor Technology, Braunschweig University of Technology, Germany) ,  Steib F. (Inst. of Semiconductor Technology, Braunschweig University of Technology, Germany) ,  Mohajerani M. (Inst. of Semiconductor Technology, Braunschweig University of Technology, Germany) ,  Wehmann H. (Inst. of Semiconductor Technology, Braunschweig University of Technology, Germany) ,  Bichler Daniel (OSRAM GmbH, Mittelstetter Weg 2, 86830 Schwabmuenchen, Germany) ,  Huckenbeck B. (OSRAM GmbH, Mittelstetter Weg 2, 86830 Schwabmuenchen, Germany) ,  Schimpke T. (Osram Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, Germany) ,  Mandl M. (Osram Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, Germany) ,  Achimescu A. (Osram Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, Germany) ,  Stoll Ion (Osram Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, Germany) ,  Strassburg M. (Osram Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, Germany) ,  Lugauer H.-J. (Osram Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SUM  ページ： 40  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN技術における素子設計のための自由度を拡張に対する刺激的な新しい経路であることが予想されているので,GaNナノロッドと関連した高アスペクト比3D GaNナノ構造は最近多くの注目を集めている。このような構造は,大きな表面,欠陥のない高品質材料だけでなく,非極性表面方位,大面積歪を実行に移すことなく非常に大きな面積の異質基板を使用する可能性を提供する。これらの側面のすべてが困難であったり平面基板手法を用いた場合,達成することは不可能である。一方,このような3D高アスペクト比GaN系ナノ構造は,高アスペクト比と良好な均一性で作製できる再現性良く,そしてますます多くのデバイスと応用の側面を検討中である。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 再現性 ,  自由度 ,  *窒化ガリウム ,  ナノロッド ,  *固相 ,  非極性 ,  ナノ構造 ,  照明 ,  *三次元 ,  *コアシェル構造
準シソーラス用語： 大面積 ,  高品質 ,  高アスペクト比 ,  素子設計 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 固体状態 ,  照明 ,  3次元 ,  GaN ,  コアシェル構造