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J-GLOBAL ID：201602237758445380   整理番号：16A1151355

2次元材料に基づくTFETに及ぼす材料パラメータの影響:エネルギー遅延展望【Powered by NICT】

Effect of material parameters on two-dimensional materials based TFETs: An energy-delay perspective

著者 (7件)： Agarwal Tarun (Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit Leuven, Heverlee, 3001 Belgium) ,  Radu Iuliana (Interuniversity Microelectronics Centre (imec), Heverlee, 3001 Belgium) ,  Raghavan Praveen (Interuniversity Microelectronics Centre (imec), Heverlee, 3001 Belgium) ,  Fiori Gianluca (Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione, Universita’ di Pisa, Via Caruso 16, 56122, Italy) ,  Thean Aaron (Interuniversity Microelectronics Centre (imec), Heverlee, 3001 Belgium) ,  Heyns Marc (Interuniversity Microelectronics Centre (imec), Heverlee, 3001 Belgium) ,  Dehaene Wim (Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit Leuven, Heverlee, 3001 Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ESSDERC  ページ： 47-50  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,回路レベルの計量値に二次元(2D)材料に基づくトンネルFET(TFET)のための材料パラメータ(すなわち有効質量とバンドギャップ)の影響を調べた。材料パラメータの種々の組合せのための異なる標的オフ電流(I_OFF)での2次元TFETの回路レベル計量(すなわち遅延とエネルギー消費)を推定した。回路レベル計量に対する与えられたI_OFF要求を満たすために,サブ閾値傾斜,I_OFFのようなデバイスレベルの計量値に材料の有効質量とバンドギャップの影響を調べた。は,与えられた遅延または周波数動作のための最小エネルギー遅延積(EDP)を達成するために,材料のより高い有効質量に関係なく小さなバンドギャップを持つが必須であることが観察された。小バンドギャップ材料を用いた挑戦は,小さいバンドギャップ材料TFETから達成された最大性能に及ぼす限界となる標的I_OFFに対応する両極性電流を抑制することである。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： エネルギー消費 ,  電流 ,  有効質量 ,  *二次元 ,  バンドギャップ ,  周波数
準シソーラス用語： 両極性 ,  最小エネルギー原理 ,  サブ閾値 ,  オフ電流 ,  *材料パラメータ ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 2次元 ,  TFET ,  材料パラメータ ,  エネルギー ,  遅延 ,  展望