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J-GLOBAL ID：201602241540188547   整理番号：16A1089591

SiC-MOSFET型直流モデル遮断器へのゲート・ソース間電圧2段階低下方式の適用と定常電流通電および電流遮断

著者 (4件)： 横水康伸 (名古屋大) ,  玉尾一真 (名古屋大) ,  日比野真也 (名古屋大) ,  松村年郎 (名古屋大)
資料名： 電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会講演論文集(CD-ROM)  (電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会(CD-ROM))
巻： 2016  ページ： ROMBUNNO.I2-9  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： L1634B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *遮断器 ,  *直流 ,  *MOSFET ,  電力トランジスタ ,  炭化ケイ素 ,  電圧 ,  ゲート【半導体】 ,  減少 ,  電気変換 ,  電気損失 ,  電力消費
準シソーラス用語： SiC ,  ゲート電圧 ,  *パワーMOSFET ,  降圧 ,  電力損失

分類 (3件)： 開閉装置  (NB09030I) ,  電気式制御機器  (IC02020Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： SiC ,  MOSFET ,  直流 ,  モデル ,  遮断器 ,  ゲート ,  ソース ,  段階 ,  通電 ,  電流遮断