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J-GLOBAL ID：201602241646281441   整理番号：16A0735905

InGaAs焦点面アレイにおける電気的クロストーク【JST・京大機械翻訳】

Electrical crosstalk in InGaAs focal plane array

著者 (6件)： Li Dongxue (Department of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University) ,  Wang Tianmeng (Department of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University) ,  Shen Wenzhong (Department of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University) ,  Zhang Yueheng (Department of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University) ,  Li Xue (Shanghai Institute of Technical Physics) ,  Li Tao (Shanghai Institute of Technical Physics)
資料名： Hongwai yu Haomibo Xuebao  (Hongwai yu Haomibo Xuebao)
巻： 34  号： 6  ページ： 641-646  発行年： 2015年 
JST資料番号： C0174C  ISSN： 1001-9014  CODEN： HHXUEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： クロストーク特性を焦点面アレイ(FPA)の高感度と高分解能イメージングに密接に関連している。照明波長,入射,メサ構造のエッチング深さの関数としてのin(0.53)Ga(0.47)As/InP FPA典型的な平面とメサの電気的クロストークをシミュレーションにより詳細に定量的に研究した。メサ構造は平面設計と比較して優れた電気的クロストーク特性を有することを実証した。,クロストークは短波長放射のための低い前面照明装置は背面照射されたデバイスよりも優れた電気的クロストーク特性を示した。材料吸収深さとそのような構造のp-i接合空乏幅の影響に起因した。メサ構造のエッチング深さは,デバイスの全吸収層を覆うとき電気的クロストークが大きく抑制されると思われることが分かった。結果は低い電気的クロストークを持つInGaAs FPAのための設計ルールを示唆した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

著者キーワード (4件)： In_(0.53)Ga_(0.47) As/InP focal plane array ,  electrical crosstalk ,  planar structure ,  mesa structure

タイトルに関連する用語 (3件)： InGaAs ,  焦点面アレイ ,  クロストーク