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J-GLOBAL ID：201602246522853713   整理番号：16A1190963

MgOに基づく磁気トンネル接合上の極薄CoFeB層の界面垂直磁気異方性の起源の研究

The study of origin of interfacial perpendicular magnetic anisotropy in ultra-thin CoFeB layer on the top of MgO based magnetic tunnel junction

著者 (7件)： Li Zhi-Peng (Western Digital Corporation, 44100 Osgood Road, Fremont, California 94539, USA) ,  Li Shaoping (Western Digital Corporation, 44100 Osgood Road, Fremont, California 94539, USA) ,  Zheng Yuankai (Western Digital Corporation, 44100 Osgood Road, Fremont, California 94539, USA) ,  Fang Jason (Western Digital Corporation, 44100 Osgood Road, Fremont, California 94539, USA) ,  Chen Lifan (Western Digital Corporation, 44100 Osgood Road, Fremont, California 94539, USA) ,  Hong Liang (Western Digital Corporation, 44100 Osgood Road, Fremont, California 94539, USA) ,  Wang Haifeng (Western Digital Corporation, 44100 Osgood Road, Fremont, California 94539, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 109  号： 18  ページ： 182403-182403-5  発行年： 2016年10月31日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 酸化マグネシウム ,  *トンネル接合 ,  ホウ化物 ,  コバルト化合物 ,  鉄化合物 ,  *垂直磁気異方性 ,  *磁化特性 ,  電子顕微鏡観察 ,  電子エネルギー損失スペクトル
準シソーラス用語： *磁気トンネル接合

分類 (1件)： 磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (7件)： MgO ,  磁気トンネル接合 ,  極 ,  界面 ,  垂直磁気異方性 ,  起源 ,  研究