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J-GLOBAL ID:201602246529554800   整理番号:16A0827518

少ない層のグラフェンを銅箔が顕在化する学気相が堆積した【JST・京大機械翻訳】

Synthesis of Few-layer Graphene on Copper Foil Surface by CVD
著者 (8件):
資料名:
巻: 34  号:ページ: 96-100,165  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2657A  ISSN: 1673-2812  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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化学気相蒸着(CVD法)を用いて,金属基板上に大面積の少ない層数と高品質成長のグラフェンは,近年研究のホットスポットである。本研究ではCVD法を用い,常圧高温条件下で,アルゴンを担体水素を還元ガスとし、エチレンを炭素源とする銅箔の表面にグラフェンを成長のために,。分析電子顕微鏡図(SEM)およびX線回折(XRD)、ラーマンスペクトル(RAMAN)を走査することにより,銅箔の表面品質とグラフェンの成長時間がグラフェンの層数と欠陥に及ぼす大きな影響があることを発見した。20%の塩酸で銅箔表面の保護膜とCU_2Oなどの不純物除去,銅箔は1000°Cでアニールした60MINおよびそれは銅箔表面のモルフォロジーを改善するように銅箔の結晶サイズを増大するとした。研究では成長時間が60Sと90Sであったときに,調製したグラフェン薄膜の対称性は良好で,しかも層数は少ないと分かった。そのうち,成長時間は90Sであるとき,ラマン特性化したグラフェンのI_D/I_G値は0.7であった,その欠陥は比較的少ないが示唆された。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  炭素とその化合物 
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